Samsung revela HBM3E DRAM de 12 camadas o gigante da tecnologia de memória.
A maior produtora de chips de memória do mundo está lançando seu HBM mais sofisticado até o momento para aproveitar a recuperação do mercado e a maior demanda por IA.
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Samsung apresenta o HBM3E de 12 stacks, o primeiro do seu tipo, devido à alta demanda por IA.
Imagem: Samsung
A Samsung, gigante da tecnologia sul-coreana, levou a tecnologia de memória para o próximo nível ao anunciar o primeiro HBM3E DRAM de 12 stacks da indústria. Este desenvolvimento notável exibe a mais alta capacidade e largura de banda de qualquer memória de alta largura de banda até o momento.
O Poder Excepcional do HBM3E 12H DRAM
Com o lançamento do HBM3E 12H DRAM, a Samsung estabeleceu um novo referencial no mundo da tecnologia de memória. Este DRAM inovador oferece uma largura de banda máxima incrível de 1.280 GB/s e uma capacidade impressionante de 36 GB. Esses números marcam um aumento notável de 50% em comparação com o HBM3 de 8 stacks.
Compostos por vários módulos DRAM empilhados verticalmente conhecidos como stacks ou camadas, os HBM tornaram-se a solução preferida para fabricantes de memória como Samsung, SK Hynix e Micron. O objetivo é aumentar o número de stacks mantendo o chip o mais fino possível para maximizar a capacidade.
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Uma Corrida por Chips Mais Finos e Poderosos
Em competição um com o outro, os três grandes fabricantes de memória, Samsung, SK Hynix e Micron, estão buscando ativamente avanços na tecnologia HBM. Eles estão se preparando para aumentar a produção de memória HBM este ano, pois o mercado de chips de memória está mostrando sinais de recuperação. A crescente demanda por inteligência artificial (IA), especialmente GPUs alimentadas por IA como as da Nvidia, está impulsionando a popularidade dos HBM. Estes módulos de memória são uma parte integrante das poderosas GPUs usadas em aplicações de IA.
A Expertise da Samsung: Filme Não Condutivo de Compressão Térmica Avançada (TC NCF)
Para alcançar o ambicioso objetivo de aumentar o número de stacks mantendo os requisitos de empacotamento, a Samsung aplicou o filme não condutivo de compressão térmica avançada (TC NCF). Esta tecnologia inovadora permitiu que o HBM3E de 12 stacks tivesse a mesma altura que os equivalentes de 8 stacks.
Ao usar um filme mais fino e minimizar os espaços entre os stacks para meros sete micrômetros, a Samsung obteve um aumento notável de densidade de mais de 20% no HBM3E empilhado verticalmente. Além disso, a implementação do TC NCF permitiu a utilização de tanto pequenas quanto grandes saliências durante a ligação do chip. Esta abordagem otimiza as áreas de sinalização com saliências pequenas e garante uma dissipação eficiente de calor através de saliências maiores.
Desencadeando o Poder do HBM3E 12H DRAM
A Samsung afirma que o aumento de desempenho e capacidade do HBM3E 12H DRAM irá reduzir significativamente o custo total de propriedade para centros de dados. Para aplicações de IA, esta memória de alto desempenho acelerará a velocidade média de treinamento de IA em 34%, e o número de usuários simultâneos de serviços de inferência pode ser ampliado em impressionantes 11,5 vezes em comparação com seu antecessor, o HBM3 8H.
Olhando para o Futuro
A Samsung já entregou amostras do impressionante HBM3E 12H para seus clientes. A produção em massa desta memória inovadora deve começar no primeiro semestre deste ano. A chegada do HBM3E 12H DRAM representa uma nova era na tecnologia de memória, possibilitando capacidade e desempenho sem precedentes para uma ampla gama de aplicações.
Informações Adicionais e P&R
P: Como o HBM3E 12H DRAM se compara a outras tecnologias de memória?
R: O HBM3E 12H DRAM estabelece um novo padrão da indústria com sua capacidade e largura de banda incomparáveis. Comparado ao HBM3 de 8 stacks, ele oferece um aumento de 50% tanto na capacidade quanto na velocidade.
P: Como este avanço beneficia centros de dados e aplicações de IA?
R: O HBM3E 12H DRAM permite que os clientes reduzam o custo total de propriedade de centros de dados. Nas aplicações de IA, ele acelera significativamente o treinamento de IA e permite um maior número de usuários simultâneos de serviços de inferência.
P: Quando a produção em massa do HBM3E 12H DRAM começará?
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A: Samsung planeja iniciar a produção em massa do HBM3E 12H DRAM dentro do primeiro semestre deste ano, após entregar com sucesso amostras aos clientes.
Q: Que outras aplicações podem se beneficiar do HBM3E 12H DRAM?
A: Além de centros de dados e IA, outras aplicações intensivas em memória como processamento gráfico, computação de alto desempenho e armazenamento empresarial podem aproveitar o poder do HBM3E 12H DRAM para aprimorar seu desempenho e eficiência.
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